DDR4 8Gb 2666MHz GoodRAM, Retail
Акция
Популярный
Модель: tb_210239
Артикул: GR2666D464L19S/8G
₴1434 грн.
-17 %
₴1185 грн.
Ваша cкидка
₴249 грн.
₴1185 грн.
Похожие товары
Доставка
Новая Почта
В отделение, почтоматы
від 60 грн
Відправимо 01.12
Бесплатно от 2500 грн
Новая Почта
Курьерская доставка
от 115 грн
Відправимо 01.12
Укрпочта
В отделение
от 45 грн
Відправимо 01.12 – 03.12
Meest
В отделение
от 55 грн
Отправим 01.12 – 03.12
Rozetka Delivery
В отделение
от 49 грн
Відправимо 01.12 – 03.12
Оплата
Кредит
При отриманні
Безготівковий розрахунок
DDR4 8Gb 2666MHz GoodRAM, Retail - Высокая скорость и надежность в каждом байте
Хорошо продуманная оперативная память DDR4 8Gb 2666MHz от GoodRAM создана для тех, кто ценит производительность и стабильность. Она обеспечивает отличную скорость работы и высокую эффективность вашего компьютера, что делает её оптимальным выбором для любителей компьютерных игр и профессиональной работы с графикой.
Ключевые преимущества
- Высокая скорость передачи данных на частоте 2666 МГц
- Надежность подтверждена гарантией на 60 месяцев
- Энергоэффективность при рабочем напряжении 1,2 В
- Оптимизирована для настольных компьютеров
Кому подойдет
- Геймерам, которые ищут максимальную производительность
- Профессионалам, работающим с требовательными приложениями
- Пользователям, которые обновляют старые системы для улучшения скорости
Характеристики продукта
| Характеристика | Значение |
|---|---|
| Гарантия | 60 месяцев |
| Назначение (Оперативная память) | Для настольных компьютеров |
| Объем, ГБ (Оперативная память) | 8 |
| Тип (Оперативная память) | DDR4 |
| Частота, МГц (Оперативная память) | 2666 |
| Количество планок (Оперативная память) | 1 |
| Латентность (тайминги) CL (Оперативная память) | 19 |
| Рабочее напряжение, В (Оперативная память) | 1,2 |
| Буферизация (Оперативная память) | Unbuffered |
Гарантия
60 месяцев
Назначение
Для настольных компьютеров
Тип
DDR4
Объем, ГБ (Оперативная память)
8
Частота, МГц (Оперативная память)
2666
Количество планок (Оперативная память)
1
Латентность (тайминги) CL (Оперативная память)
19
Рабочее напряжение, В (Оперативная память)
1,2
Буферизация (оперативная память)
Unbuffered
